В отличие от компании LG, которая обычно выпускает подробности целиком о своей новой модели смартфона, производитель Samsung предпочитает, иную, более тонкую игру – он создает утечки и новости относительно новых технологий и комплектующих. Вот и в этот раз южнокорейский производитель порадовал своих поклонников подготовкой и выпуском новой модели универсального флэш-накопителя формата eUFS объемом в 1 Тб памяти. Конечно, учитывая соотношение между огромным объемом памяти накопителя и его необычайно малым размером, становится понятно, что такая новинка является вполне ожидаемой – однако вряд ли то же сам можно сказать и в отношении ее основных технологий.
Сама по себе технология eUFS-накопителей предполагает заметное увеличение скорости передачи данных и работы с носителем в целом – а потому суммарное увеличение его объема являлся лишь вопросом времени. По-видимому, Samsung удалось совершить это быстрее, нежели конкурентам, и если верить словам и отчетам сотрудников компании, она это сделала даже более умным и рациональным образом.
Во-первых, потому, что сумела уложить 16 слоев 512 Гигабит памяти стандарта V-NAND, что в двадцать раз превышает максимально установленный для этого формата объем памяти в 64 Гб. Стоит отметить тот факт, что с учетом ранее подготовленных технологий компании Samsung, такой результат не кажется столь уж невозможным или необычным, однако стоит признать тот факт, что у производителя получается создавать действительно стабильные разработки такого типа. Хотя он все еще молчит относительно многих технологических аспектов при создании данного накопителя.
Эта новость становится более интересной еще и потому, что некоторые пользователи и эксперты рассматривают возможность обнаружения такого объема и типа памяти в Samsung Galaxy S10 или Galaxy S10+, что, конечно, не является настолько уж вероятным и ожидаемым фактом. Однако позволяет надеяться на то, что Samsung захочет удивлять по-крупному.
