Новый мощностный усилитель для покрытия сети 5G может стать новым витком развития и разработки смартфонов нового поколения, а также новых радиолокационных радаров, привести к значительному уменьшению габаритов микроспутников для общения. Именно в таком направлении мыслят ученые из Университета Пердью, которые находятся на пути разработки новых усилителей, которые бы позволяли осуществлять куда более стабильный и быстрый доступ в интернет и при этом работать на повышенных частотах. Впрочем, 5G уже активно подготавливается и по слухам, будет полностью доступен в 2019 году, позволяя осуществлять куда более быстрое Интернет-соединение и улучшая качество связи. Но такие революционные мощностные усилители не могут быть интегрированы в стандартные кремниевые чипы смартфонов.
Специалисты из Университета Пердью под руководством профессора Сайида Мохаммади, сумели разработать новый тип мощностных усилителей, отлично подходящих для комплементарных проводников из оксидов металла, также называемых CMOS. Это приведет в потенциале к значительному уменьшению расхода заряда батареи, усилит связь по сети и при этом предоставит устройству возможность в любое время увеличивать частоты связи безо всяких проблем.
Мохаммади, отзываясь о новом устройстве, говорит следующим образом: “Кремний намного более надежный и дешевый материал, нежели чем арсенид галлия, применяемый широко в современных усилителях. Именно поэтому мы корпим над разработкой такого усилителя, которого можно было бы с легкостью интегрировать в уже существующие чипы смартфонов. Тем более все будет располагаться на одном-единственном чипе!”.
На данный момент их прототип может достигать до 40% эффективности в сравнении со стандартными мощностными усилителями, в составе которых присутствует арсенид галлия. В том случае, если разработка ученых оправдает ожидания научной общественности, вполне возможно, что технологию 5G мы увидим намного раньше пресловутого 2019 года.
