Специалисты из Московского физико-технологического института сегодня представили свою новую разработку, касающуюся нового типа компьютерной RAM-памяти. Названная в качестве MELRAM, данный концепт оперативной памяти является магнитоэлектрическим, что позволит не только в значительной степени сократить потребление электрической энергии на ее работу, но также порадует пользователей значительно более высокой производительностью. Статья с результатами проекта специалистов уже была представлена в научном журнале Applied Physical Letters. Стоит отметить, что данный магнитоэлектрический концепт оперативной памяти существенно отличается от стандартного формата RAM.
Классический формат оперативной памяти, широко используемой в компьютерах самого разного назначения, состоит из двух связующих элементов внутри каждой клетки памяти – из полупроводника и конденсатора. Транзистор то и дело посылает электрический ток в конденсатор, заряжая и разряжая его, в то время как сам ток переносит двоичную информацию, необходимую для работы памяти.
Что касается концепта MELRAM от российский ученых, то тут используется другой подход – их прототип состоит из пьезоэлектрического материала и специальной слоистой структурой, характеризующейся высокой степенью магнитоупругости. Благодаря своей анизотропной конструкции, такая память может посылать двойной электрический сигнал в оба направления заряда электрического тока.
При этом специалисты из МФТИ отмечают, что при непосредственной работе их магнитоэлектрической оперативной памяти, отсутствует необходимость ее постоянно перезаписывать в процессе эксплуатации, как это происходит со стандартной оперативной памятью. Кроме того, данные, кешированные в данную магнитоэлектрическую оперативную память не теряются после отключения планки. Специалисты и другие энтузиасты уверены, что такой интересный концепт наверняка станет в некотором смысле прорывом в деле модернизации существующего формата оперативной памяти – в частности, в направлении повышении ее энергоэффективности.
